隨著工業和科技的快速發展，現有的4G基站，每個陣列最多使用四個發射器和四個接收器（4x4 MIMO）。與之相比，預計采用大規模MIMO陣列的5G基站，每個陣列可使用多達64個發送器和64個接收器。5G網絡能比4G網絡的數據傳輸速率高100倍，并且網絡延遲低至1ms。

       對比傳統分立式 DC / DC IC和外部電感的解決方案，5G基站的電路板組件密度要求更高，尺寸要求更小，且需要實現更高的效率和更低的EMI。 

       基站的輸入電壓通常為48V，該電壓被DC / DC轉換器降壓至24V或12V，然后進一步降壓到多個電源軌，范圍從3.3V至1V以下，這些電源軌為基帶處理器中的ASIC電路供電。 

       同時，為了減少開關電流引起的傳導和輻射EMI，還需要精心對元件布局和放置濾波器組件。DC / DC轉換器通常會通過電流回路中的磁場產生傳導EMI，而電流回路主要形成在輸出功率MOSFET開關節點與地之間以及輸入電容與地之間。MOSFET開關節點與電感連接處也會產生輻射電場EMI，由于需要不斷在輸入電平與地電平切換，因此dV / dt很高，并且電感本身產生的電磁場也會產生輻射。  

      金籟科技軟飽和磁芯的封閉式磁路電感、優化的電流環路和集成輸入濾波，能大大簡化最終設計，確保滿足輻射和傳導EMI要求。

2023年，金籟科技- 5G 基站電感應用還將加大進度投入新產品研發，緊跟智能科技化的步伐，歡迎各位新老客戶量大來詢！